Qualcomm giới thiệu vi xử lý di động Snapdragon 835, hiệu suất mạnh hơn 27%

Dân trí Chỉ ít tháng sau khi ra mắt thế hệ vi xử lý Snapdragon 821 cao cấp nhất, Qualcomm đã tiếp tục cho ra mắt thế hệ vi xử lý di động cao cấp mới, Snapdragon 835, với công nghệ và hiệu suất vượt trội so với thế hệ vi xử lý cao cấp nhất hiện nay, Snapdragon 821.

07:11 - 18/11/2016

Tháng 7 vừa qua, Qualcomm trình làng thế hệ vi xử lý di động Snapdragon 821 và cho đến nay, khi Snapdragon 821 vẫn chưa xuất hiện trên nhiều mẫu smartphone thì Qualcomm đã tiếp tục ra mắt thế hệ vi xử lý cao cấp mới Snapdragon 835. Đây là thế hệ vi xử lý để sẵn sàng cho năm 2017 của Qualcomm.

snapdragon-835-1-1479405361753.jpg
Snapdragon 835 là thế hệ vi xử lý di động cao cấp chuẩn bị cho năm 2017 của Qualcomm

Giống như thế hệ vi xử lý Snapdragon 820 và 821 trước đây, Snapdragon 835 tiếp tục là sản phẩm hợp tác phát triển giữa Qualcomm và Samsung. Tuy nhiên, nếu Snapdragon 821 là phiên bản nâng cấp nhẹ từ Snapdragon 820 thì phiên bản Snapdragon 835 lại là một thế hệ vi xử lý hoàn toàn mới, với điểm khác biệt lớn nhất là Snapdragon 835 được sản xuất trên tiến trình 10nm, thay vì 14nm như trên Snapdragon 820 và 821. Đây là thế hệ vi xử lý di động đầu tiên được sản xuất trên tiến trình 10nm.

Với việc sản xuất trên tiến trình 10nm giúp Snapdragon 835 có thiết kế nhỏ gọn hơn, hiệu suất cao hơn và tiết kiệm năng lượng hơn. Qualcomm cho biết so với Snapdragon 820 thì phiên bản 835 nhỏ hơn 30%, cho hiệu suất cao hơn 27% (thay vì chỉ 10% như Snapdragon 821 so với 820) và tiết kiệm năng lượng hơn 40%.

Đặc biệt, thế hệ vi xử lý mới của Qualcomm cũng đi kèm với công nghệ sạc nhanh mới, Quick Charge 4.0, mà theo Qualcomm sẽ cho tốc độ sạc nhanh hơn 20% so với công nghệ sạc nhanh Quick Charge 3.0 hiện nay. Đây thực sự là một điều ấn tượng, khi mà với công nghệ sạc nhanh Quick Charge 3.0 hiện nay, các mẫu smartphone như HTC 10, LG G5 hay Galaxy S7 chỉ mất 80 đến 100 phút để sạc đầy pin 100% từ mức 0% và chỉ mất vài phút để có thể sạc pin đủ dùng trong vài giờ. Với Quick Charge 4.0, smartphone chỉ cần cắm sạc 5 phút là có thể đủ thời lượng pin sử dụng trong 5 giờ.

Ngoài ra, Quick Charge 4.0 cũng tương thích đầy đủ với chuẩn kết nối USB Type-C, nghĩa là các mẫu smartphone trang bị chuẩn kết nối mới này có thể khai thác tối đa hiệu quả của công nghệ sạc nhanh Quick Charge. Công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4.0 cũng được trang bị tính năng để không làm quá tải khi sạc, giúp bảo vệ và kéo dài tuổi thọ của pin trên sản phẩm.

Hiện tại Qualcomm vẫn chưa cung cấp quá nhiều thông tin chi tiết về thế hệ vi xử lý Snapdragon 835 của mình, như số lõi hoặc xung nhịp của lõi vi xử lý... tuy nhiên hãng này cho biết sản phẩm đầu tiên được trang bị Snapdragon 835 sẽ được trình làng vào đầu năm sau.

So sánh sự khác biệt giữa 3 thế hệ vi xử lý cao cấp Snapdragon 835/821/820:

Thế hệ vi xử lý

Snapdragon 835

Snapdragon 821

Snapdragon 820

Tiến trình sản xuất

10nm

14nm

14nm

Lõi CPU

Chưa rõ

Tối đa 4 lõi

Tối đa 8 lõi

Lõi CPU hiệu suất cao

Chưa rõ

2 lõi tốc độ 2.35GHz

4 lõi tốc độ 2.2GHz

Lõi CPU hiệu suất thấp

Chưa rõ

2 lõi tốc độ 2.0GHz

4 lõi tốc độ 1.6GHz

Vi xử lý đồ họa

Chưa rõ

Adreno 530

Adreno 530

Xung nhịp vi xử lý đồ họa

Chưa rõ

635MHz

624MHz

Công nghệ sạc nhanh Quick Charge

4.0

3.0

3.0

Thời điểm ra mắt

Đầu năm 2017

Quý III/2016

Quý IV/2015

T.ThủyTheo PA/Qualcomm

Tag :, , , , , , , , ,